近日，空間中心空間環(huán)境特殊效應(yīng)實驗研究室利用自主開發(fā)的“脈沖激光單粒子效應(yīng)實驗裝置”，對幾款宇航用核心電子器件的抗單粒子效應(yīng)能力進行了快速的試驗評估。

試驗表明：加固芯片的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力較未加固芯片得到了大幅度提升——閾值提高一個量級、飽和截面降低三個量級；加固芯片在試驗的最大激光脈沖能量（對應(yīng)于重離子LET值）時仍未發(fā)生單粒子鎖定現(xiàn)象，而未加固芯片在試驗最大激光能量4%時就開始出現(xiàn)單粒子鎖定現(xiàn)象。利用脈沖激光裝置進行的單粒子效應(yīng)試驗快速、有針對性，對國產(chǎn)宇航用核心電子器件的抗單粒子效應(yīng)設(shè)計具有重要的參考和指導(dǎo)作用。

（供稿：空間環(huán)境特殊效應(yīng)實驗研究室）

國產(chǎn)宇航用核心電子器件單粒子效應(yīng)脈沖激光試驗場景

國產(chǎn)宇航用核心電子器件單粒子效應(yīng)脈沖激光試驗結(jié)果