近日，國家空間中心空間環(huán)境特殊效應(yīng)實(shí)驗(yàn)室（以下簡稱“效應(yīng)室”）受中科院某單位委托，對其承擔(dān)的某款重大專項(xiàng)專用集成電路（ASIC）進(jìn)行了單粒子效應(yīng)脈沖激光試驗(yàn)評估。

試驗(yàn)觀測到該芯片發(fā)生的單粒子閂鎖效應(yīng)和單粒子瞬態(tài)脈沖效應(yīng)現(xiàn)象，測得了其閂鎖效應(yīng)等效LET閾值，定位到該芯片發(fā)生閂鎖效應(yīng)的敏感部位。

利用脈沖激光裝置能精細(xì)、高效地對所設(shè)計(jì)的芯片進(jìn)行單粒子效應(yīng)評估，為芯片優(yōu)化設(shè)計(jì)提供有的放矢的試驗(yàn)數(shù)據(jù)支持，可有效縮短芯片研發(fā)周期。

（供稿：空間環(huán)境特殊效應(yīng)實(shí)驗(yàn)室）

試驗(yàn)觀測到的ASIC芯片單粒子閂鎖效應(yīng)和單粒子瞬態(tài)脈沖效應(yīng)