“十四五”和未來我國深空和太陽系邊界探測等航天任務實施對宇航用集成電路在惡劣復雜的深空輻射環(huán)境下的抗輻射能力提出了嚴苛的要求，元器件的抗輻射能力成為制約深空探測任務設計的關鍵因素之一。碳基信息電子器件具有高遷移率、超薄、高熱導率等優(yōu)異的物理性能是下一代先進半導體器件典型代表，也是我國自主可控發(fā)展集成電路技術的重要選擇。國內外已有研究報道，碳基器件天然具有較強的抗總劑量能力，可滿足深空探測任務對芯片壽命達到數(shù)年乃至數(shù)十年的需求，其有望成為支撐國家航天基礎設施抗空間輻射環(huán)境高水平應用的核心物質基礎。但是針對碳基器件空間應用面臨的單粒子輻射問題目前尚未見公開報道，嚴重制約了碳基器件在空間輻射環(huán)境中的布局應用。因此，揭示碳基器件單粒子效應機理和響應特性，提高抗單粒子效應輻射能力使之滿足航天工程技術發(fā)展需求就成為亟待解決的關鍵問題。

圖1. 近地和深空輻射環(huán)境特征

　　中國科學院國家空間科學中心太陽活動與空間天氣重點實驗室陳睿副研究員、韓建偉研究員團隊與北京大學電子學院張志勇教授課題組、中科院微電子所李博研究員課題組合作，針對碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機存儲器單元，利用空間中心自主建立的脈沖激光模擬重離子試驗裝置、質子與電子加速器和集成電路試驗與仿真平臺，在國際上首次揭示了碳納米管場效應晶體管和存儲單元單粒子效應損傷機理和響應特性。相關成果以題為“Ultra-Strong Comprehensive Radiation Effect Tolerance in Carbon Nanotube Electronics”的論文，發(fā)表于國際期刊Small（IF：15.15），空間中心博士生王璇和陳睿副研究員為共同一作和共同通訊作者。

　　研究發(fā)現(xiàn)，碳納米管器件和電路柵區(qū)域對單粒子效應敏感，且損傷機制與傳統(tǒng)體硅器件單粒子敏感體積收集輻射感生電荷不同，單粒子離化電子受電場作用向源極漂移形成溝道電流（約250ps脈寬的瞬態(tài)電流脈沖），空穴在柵介質上累積導致柵電場強度增加是單粒子損傷的主要機制。

圖2碳納米管電子器件單粒子效應機理

圖3碳納米管電子器件單粒子效應響應特征

　　本工作得到預研創(chuàng)新基金等項目的支持，原文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202204537 

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